IBM နဲ့ Samsung က Transistor တွေကို ဒေါင်လိုက် ထပ်ထားနိုင်တဲ့ Chip အသစ်ကို ဖန်တီးလိုက်ပါတယ်။ အဲဒီ Chip ဒီဇိုင်းဟာ လက်ရှိ Chip တွေမှာ အသုံးပြုထားတဲ့ Fin Fielld-Effect Transistor (finFET) တွေထက် စွမ်းအင်စားသုံးမှု ၈၅ ရာခိုင်နှုန်း သက်သာတယ်လို့ ကုမ္ပဏီ ၂ ခုက ပြောပါတယ်။ အဲဒီအတွက် စမတ်ဖုန်းတွေရဲ့ ဘက်ထရီ သက်တမ်းကို ၁ ပတ်လောက် အသုံးခံအောင် ဆွဲဆန့်ပေးနိုင်တာ ဖြစ်ပါတယ်။
ဒေါင်လိုက်ထပ်ထားတဲ့ Chip ဒီဇိုင်းကို Vertical Transport Field Effect Transistors (VTFET) လို့ ခေါ်ပြီး လျှပ်စစ်စီးကြောင်းတွေဟာ ဒေါင်လိုက် ဖြတ်သန်းသွားပါတယ်။ VTFET မှာ FinFET ထက် Transistor တွေ ပိုမို ထည့်သွင်းနိုင်တဲ့ အားသာချက်ရှိပါတယ်။
အဲဒီ ဒေါင်လိုက် ဒီဇိုင်းကို IBM Research နဲ့ Samsung တို့က IBM ရဲ့ Albany Research Alliance ကနေ ဖန်တီးထားတာ ဖြစ်ပါတယ်။ VTFET ဟာ အရွယ်သေး Chip တွေ ထုတ်လုပ်မယ့် IBM ရဲ့ ရည်မှန်းချက်ကိုအကူအညီပေးနိုင်ပါတယ်။ IBM ဟာ 2nm Chip ဒီဇိုင်းကို ပြီးခဲ့တဲ့ မေလက ကြေညာခဲ့တာ ဖြစ်ပြီး အဲဒီ Chip မှာ လက်သည်းခွံအရွယ်အစားရှိတဲ့ Transistor ပေါင်း ၅၀ ဘီလီယမ်ကို ထည့်သွင်းနိုင်ပါတယ်။ IBM ဟာ ၂၀၁၇ ခုနှစ်က 5nm Chip ကို ဖန်တီးနိုင်ခဲ့တာ ဖြစ်ပါတယ်။
VTFET ဟာ Cryptomining နဲ့ Data Encryption လို စွမ်းအင်များစွာလိုအပ်တဲ့ Computing လုပ်ငန်းတွေမှာလည်း အသုံးဝင်လာမှာ ဖြစ်ပါတယ်။ IBM က Internet of Things Device တွေရဲ့ ဘက်ထရီ သက်တမ်း ပိုကောင်းအောင် အဲဒီ Chip တွေကို အသုံးချဖို့ စဉ်းစားထားပါတယ်။
Ref : zdnet
