Samsung ဟာ လာမဲ့ရက်သတ္တပတ်အတွင်း 3nm chip တွေကို အလုံးအရင်းလိုက် စတင်ထုတ်လုပ်တော့မယ်လို့ မျှော်လင့်ကြောင်း Yonhap News က ဖော်ပြလိုက်ပါတယ်။ ဒါဟာ ဒုတိယနှစ်ဝက်မှာ 3nm chip တွေထုတ်လုပ်ဖို့ ရည်မှန်းထားတဲ့ TSMC ထက် Samsung က ရှေ့ကိုစောပြီး ထုတ်လုပ်နိုင်တော့မယ်ဆိုတဲ့ အဓိပ္ပါယ်လည်း ဖြစ်ပါတယ်။
Samsung ရဲ့ 3nm node ဟာ (Snapdragon 888 နဲ့ Exynos 2100 တို့အတွက် အသုံးပြုခဲ့တဲ့) 5nm process နဲ့နှိုင်းယှဉ်ရင် စွမ်းဆောင်ရည်က ၃၀% ပိုမိုမြင့်မားပြီး၊ ပါဝါသုံးစွဲမှုက ၅၀% ပိုမိုလျော့နည်းလာတယ်လို့ သိရပါတယ်။ ဧရိယာကတော့ ၃၅% လျော့ကျသွားမှာဖြစ်ပါတယ်။ ပိုသေးပြီး ပိုအစွမ်းထက်တယ်လို့ အလွယ်ပြောလို့ရပါတယ်။
Transistors အတွက် Gate-All-Around (GAA) ဒီဇိုင်းကိုပြောင်းလိုက်ခြင်းအားဖြင့် ဒီတိုးတက်ပြောင်းလဲခြင်းကို ရရှိလာတာလို့ ဆိုနိုင်ပါတယ်။ ဒါဟာ FinFET ပြီးတဲ့နောက် နောက်ထပ်ခြေလှမ်းတစ်ခုအဖြစ် လက်ရှိသယ်ဆောင်နေတဲ့ စွမ်းဆောင်ရည်ကို မထိခိုက်စေဘဲ ထရန်စစ္စတာတွေကို ကျုံ့သွားစေတာလည်း ဖြစ်ပါတယ်။
Samsung ရဲ့ 3nm နည်းပညာသရုပ်ပြပွဲကို တက်ရောက်ဖို့အတွက် အမေရိကန်သမ္မတ Joe Biden ဟာ ပြီးခဲ့တဲ့လတုန်းက Samsung ရဲ့ စက်ရုံကို သွားရောက်ခဲ့ပါတယ်။ တက္ကဆက်မှာ 3nm ဓာတ်ပေါင်းဖိုတစ်ခုတည်ဆောက်ဖို့ ကုမ္ပဏီက ဒေါ်လာ ၁၀ ဘီလီယံ ရင်းနှီးမြှုပ်နှံကြောင်း ပြီးခဲ့တဲ့နှစ်ကတည်းက ဆွေးနွေးမှုတွေ ရှိခဲ့တာလည်း ဖြစ်ပါတယ်။ ဒီရင်းနှီးမြှုပ်နှံမှုဟာ ၁၇ ဘီလီယံဒေါ်လာအထိ တိုးမြင့်လာခဲ့ပြီး စက်ရုံကို ၂၀၂၄ ခုနှစ်မှာ စတင်လည်ပတ်ဖို့လည်း မျှော်လင့်ထားပါတယ်။
ဘာပဲဖြစ်ဖြစ် Node အသစ်တစ်ခုအတွက် အကြီးမားဆုံးစိုးရိမ်မှုက”ဖြစ်ထွန်းမှု” ပါပဲ။ ပြီးခဲ့တဲ့အောက်တိုဘာလမှာ Samsung ဟာ သူ့ရဲ့ 3nm လုပ်ငန်းစဉ်ဖြစ်ထွန်းမှုနှုန်းဟာ 4nm process နဲ့ဆင်တူတဲ့အဆင့်ကို ချဉ်းကပ်နေပြီလို့ ပြောဆိုခဲ့ပါတယ်။ ကုမ္ပဏီအနေနဲ့ တရားဝင်နံပါတ်တွေကို တစ်ကြိမ်တစ်ခါမှ မပြသခဲ့ပေမဲ့လည်း Samsung ရဲ့ 4nm node ဟာ ဖြစ်ထွန်းမှုပြဿနာ တစ်နည်းအားဖြင့် အထွက်နှုန်းပြဿနာတွေနဲ့ ရင်ဆိုင်နေရတယ်လို့ လေ့လာသူတွေက ဆိုကြပါတယ်။
ကုမ္ပဏီရဲ့ လမ်းပြမြေပုံမှာတော့ ၂၀၂၃ ခုနှစ်မှာ ဒုတိယမျိုးဆက် 3nm node တစ်ခုကို ရရှိဖို့ဖြစ်ပြီး ၂၀၂၅ မှာတော့ MBCFET-based 2nmnode ကို ရောက်ရှိဖို့ ရည်မှန်းထားတာဖြစ်ပါတယ်။
Ref: GSM Arena
